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半導體外延檢測

儀器功能:可測量多晶硅/單晶硅絨面表面單層(二層或多層)減反射膜、和玻璃/有機基底上的薄膜太陽能電池。

 

技術指標:光源:氙燈

光斑直徑:1-3mm

入射角范圍:20°到90°,5°/步

波長范圍:350-850nm, 250-1100nm, 250-1700nm:0.002°~ 0.02°

波長精度:1nm

測量時間: < 8s (取決于測量模式和粗糙度)

樣品尺寸: 125x125mm 156x156mm,200x200mm電池片, 其它尺寸

測量精度:0.02nm

折射率:0.0002, 100nmSiO2 on Si

厚度測量范圍:0.01nm ~ 50um

消光比:10-6


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