HQ-8B
反應室真空5×10－4Pa。
極限真空：5E-6 Torr。
載片臺可加溫100～450度。
沉積材料：SiO2、Si3N4、GeO2 可進行氘離子摻雜。
工藝溫度：最高400℃。
樣品尺寸：4英寸向下兼容。
淀積不均勻性：≤±5％。
等離子增強化學氣相淀積設備是一種用于在基片上生成高質量SiNx和SiO2薄膜的專用設備。
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