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極限真空：極限真空度：≤3×10-5 Pa；系統從大氣（暴露大氣時充干燥氮氣）開始抽氣，20 分鐘可達到真空度 3×10-4 Pa；基片自轉速率： 5-20rmp；基片加熱最高溫度 800±1℃（實用溫度 400℃）；基片與蒸發源之間距離 300-350mm 可調；

電子槍參數：電源最大功率 10kW；6 個水冷坩堝，每個容積為 40cc；

石英晶體振蕩膜厚監控儀：實現電子束蒸發源蒸發速率閉環控制；

蒸發源材料種類：Ti、Cr、Ni、Al、Ag、Cu、Au

樣品要求：最大 4 英寸襯底 1 片并向下兼容；加熱超過 80℃時，禁用

光刻膠作為掩摸。